西門子S7-200PLC程序數(shù)據(jù)的斷電保存方法

西門子S7-200PLC程序數(shù)據(jù)的斷電保存方法，主要可分三種，其數(shù)據(jù)斷電保存方法及特點(diǎn)如下：
一、在系統(tǒng)塊中設(shè)置斷電數(shù)據(jù)保持功能來保存數(shù)據(jù)。
在S7-200的編程中，系統(tǒng)塊中有一項(xiàng)功能為斷電數(shù)據(jù)保持設(shè)置，設(shè)置范圍包括V存儲區(qū)、M存儲區(qū)、時(shí)間繼電器T和計(jì)數(shù)器C（其中定時(shí)器和計(jì)數(shù)器只有當(dāng)前值可被保持，而定時(shí)器位或計(jì)數(shù)器位是不能被保持的）。其基本工作原是在PLC外部供電中斷時(shí)，利用PLC內(nèi)部的超級電容供電，保持系統(tǒng)塊中所設(shè)置的斷電數(shù)據(jù)保持區(qū)域的數(shù)值保持不變，而將非保持區(qū)域的數(shù)據(jù)值歸零。由于超級電容容量的限制，在西門子的資料中宣稱只能保存幾天時(shí)間。對于M存儲區(qū)中的*四個(gè)字節(jié)（即MB0-MB13），當(dāng)設(shè)為斷電數(shù)據(jù)保持，在PLC外部供電中斷時(shí)，PLC內(nèi)部自動(dòng)將以上存儲區(qū)的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到EEPROM中，因此可實(shí)現(xiàn)斷電*保存。
若需更長的RAM存儲器斷電數(shù)據(jù)保存時(shí)間，西門子公司可提供一個(gè)可選的電池卡，在超級電容耗盡后繼續(xù)提供電能，延長數(shù)據(jù)保存時(shí)間（約200天）。
二、在編程時(shí)建立數(shù)據(jù)塊來保存數(shù)據(jù)。
在程序設(shè)計(jì)的編程階段，可在編程中建立數(shù)據(jù)塊，并賦予需要的初始值，編程完成后隨程序一起下載到PLC的RAM存儲器中，CPU同時(shí)自動(dòng)將其轉(zhuǎn)存于EEPROM，作為EEPROM儲器中的V數(shù)據(jù)永存儲區(qū)。因EEPROM的數(shù)據(jù)保存不需要供電維持，所以可以實(shí)現(xiàn)*保存。若在系統(tǒng)塊中相應(yīng)V存儲區(qū)未設(shè)為斷電數(shù)據(jù)保持，在每次PLC上電初始，CPU自動(dòng)將EEPROM中的V數(shù)據(jù)值讀入RAM的V存儲區(qū)。若相應(yīng)V存儲區(qū)設(shè)為斷電數(shù)據(jù)保持，在每次PLC上電初始，CPU檢測斷電數(shù)據(jù)保存是否成功。若成功，則保持RAM中的相應(yīng)V數(shù)據(jù)保持不變。若保存不成功，則將EEPROM中的相應(yīng)V數(shù)據(jù)值讀入RAM的V存儲區(qū)。此方法只適用于V數(shù)據(jù)的斷電數(shù)據(jù)保存。
三、在程序中用SMB31和SMW32來保存數(shù)據(jù)。
在程序中將要保存的V存儲器地址寫入SMW32，將數(shù)據(jù)長度寫入SMB31，并置SM31.7為1。在程序每次掃描的末尾，CPU自動(dòng)檢查SM31.7，如果為1，則將的數(shù)據(jù)存于EEPROM中，并隨之將SM31.7置為零，保存的數(shù)據(jù)會覆蓋先前EEPROM中V存儲區(qū)中的數(shù)據(jù)。在保存操作完成之前，不要改變RAM中V存儲區(qū)的值。存一次EEPROM操作會將掃描時(shí)間增加15至20毫秒。因?yàn)榇鍱EPROM的次數(shù)是有限制的（zui少10萬次，典型值為100萬次），所以必須控制程序中保存的次數(shù)，否則將導(dǎo)致EEPROM的失效。
結(jié)合以上的了解和工地調(diào)試的經(jīng)驗(yàn)，在實(shí)際應(yīng)用中，若遇到需程序數(shù)據(jù)保持的時(shí)候，要多種方法結(jié)合運(yùn)用以達(dá)到的結(jié)果。針對程序中需保存數(shù)據(jù)的不同，采取不同的方式實(shí)現(xiàn)。對于需在程序*次運(yùn)行時(shí)進(jìn)行預(yù)置并在程序運(yùn)行過程中個(gè)別情況下進(jìn)行重新設(shè)置的數(shù)據(jù)，如高度、荷重等相關(guān)標(biāo)定參數(shù)，可在程序的數(shù)據(jù)塊中建立數(shù)據(jù)，并賦予初始數(shù)值。同時(shí)在程序中編入SMB31和SMW32命令，在相關(guān)條件下對EEPROM的V數(shù)據(jù)區(qū)進(jìn)行重新保存，修改先前的初始值。示例如下，當(dāng)進(jìn)行參數(shù)設(shè)置時(shí)，置M0.0為1，完成一次VD100的EEPROM存儲器保存操作。
對于程序運(yùn)行過程中數(shù)值變化比較頻繁，且需斷電長期保存的數(shù)據(jù)，則可將數(shù)據(jù)存于MB0至MB13存儲區(qū)，且系統(tǒng)塊的斷電數(shù)據(jù)保存設(shè)置中將相應(yīng)的M存儲區(qū)設(shè)為斷電數(shù)據(jù)保存。也可使用程序中的V存儲區(qū)，在必要時(shí)如上圖所示進(jìn)行一次程序數(shù)據(jù)存儲，而在斷電數(shù)據(jù)保持設(shè)置中可選取，也可不選取。